ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСИСТЕМЫ Si/NiSi2/Si, МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ
Keywords:
гетероструктура, нанофаза, ширина запрещенной зоны, нанослой, нанокристаллические фазы, имплантация ионов, морфология, силицид, переходной слой.Abstract
С использованием методов Оже-электронной спектроскопии, измерения интенсивности проходящего света через образец, растровой электронной микроскопии, дифракция быстрых электронов и удельное сопротивление поверхности исследованы состав, ширина запрещенной зоны, морфология, кристаллическая структура, электрофизические свойства поверхностных слоев на плёночной системы Si/NiSi2/Si (111), полученных методом твердофазной эпитаксии при различных температурах подложки. Установлено, что границы раздела между слоями Si/NiSi2 и NiSi2/Si (111) резкая и толщине переходных слоев не превышает 4-5 нм. Показано что методом ТФЭ невозможно получить трехслойной система Si/NiSi2/Si (111) с толщиной Si и NiSi2 менее 20-30 нм, Определены профили распределения атомов Si и Ni по глубине трехслойной системы. Показано, что в процессе твердофазного осаждения Ni на Si в сочетании с отжигом, на поверхности Si формируются эпитаксиальные нанопленки NiSi2. При толщинах h ≤ 150 Å пленки имеют островковый характер. Однородная сплошная пленка NiSi2 образуется, начиная с h=200Å.
References
[1]. Алтухов А.А., Жирнов В.В. Анализ морфологии и стехиометрии пленок CoSi/Si(100), полученных методами ТФЭ и РЭ // Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого совещания “Тонкие пленки в электронике”: Москва-Ижевск. 1991. c. 15-22.
[2]. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Галль Н.Р., Молодцов С.Л., Вялых Д.В. Взаимодействие кобальта с поверхностью окисленного кремния // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 8. С. 1519–1522.
[3]. Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Сима-кин С.Г. Особенности формирования CoSi2 при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)// Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 3. С. 36–44
[4]. Алексеев А.А., Олянич Д.А., Утас Т.В., Котляр В.Г., Зотов А.В., Саранин А.А. // ЖТФ. 2015. T. 85. Вып. 10. С. 94–100.
[5]. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Tashatov A.K., Mustafoeva N.M., Muradkabilov D.M. // Effect of the Disordering of Thin Surface Layers on the Electronic and Optical Properties of Si(111) // Semiconductors, 2020, 54(11), стр. 1424–1429. https://doi.org/10.1134/S1063782620110263
[6]. Tashatov A. K., Mustafoyeva N. M. // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol. 14, No. 1, pp. 81–84. DOI: 10.1134/S1027451020010188
[7]. Umirzakov, B.E., Tashmukhamedova, D.A., Tashatov, A.K., Mustafoeva, N.M. //Electronic and Optical Properties of NiSi2/Si Nanofilms // Technical Physics, 2019, 64(5), стр. 708–710. DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47481.192-18
